Tranzistoare

Tranzistorul bipolar (TB), este realizat dintr-un cristal semiconductor
compus din trei regiuni dopate cu impurităti de tip diferit, care se succed în
ordinea: p-n-p sau n-p-n si care satisfac condiŃiile:
1) regiunea de mijloc, numită bază, are o lăŃime mică (fracŃiuni de microni ...
microni) faŃă de lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari care o parcurg si
2) una din regiunile extreme, numită emitor, are un grad de impurificare mult mai
mare decât baza.
Cea de-a treia regiune a tranzistorului se numeste colector.

Tranzistoare

  • tme
  • tme

Regimuri de functionare

Polarizarea joncNiunii:

E-B                       C-B

Regimul
de
functionare
                         Directa                       Inversa Activ normal
                         Directa                      Directa Saturatie
                         Inversa                      Inversa Blocare
                         Inversa                      Directa Activ inversat

Modalitatile caracteristicilor statice

        Caracteristicile statice indica legatura functionala între curentii si tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Pentru fiecare schema de conectare în regim activ exista o familie de 515i85f caracteristici, ce arata legatura între curentii si tensiunile aplicate la tranzistor.

        Patru modalitati de caracteristici descriu proprietatile oricarui dispozitiv cu trei borne:

  • caracteristicile de intrare:

;

  • caracteristicile de iesire:

;

  • caracteristicile de transfer:

;

  • caracteristicile reactiei inverse:

.

     1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj baza comuna

        În cuplaj baza comuna (BC) tranzistorul poseda urmatoarele caracteristici:

  • familia caracteristicilor de intrare (fig.1.6,a)

  • familia caracteristicilor de iesire(fig.1.6,b)

;

variatia curentului colectorului trebuie sa fie constanta la transferul de la o caracteristica la alta, adica ;

  • caracteristicile de transfer (fig.1.6,c);
  • caracteristicile reactiei inverse (fig.1.6,d).

Text Box: Regim de saturatie


Fig.1.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.

a)      caracteristicile de intrare; b) caracteristicile de

iesire; c) caracteristicile de transfer;

d) caracteristicile reactiei inverse